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内存芯片识别方法

发布时间:2020-07-21 18:05:09 阅读: 来源:硅酸盐防水剂厂家

内存芯片识别方法

1.LGS:LGS的SDRAM芯片上的标识;GM72V*****1**T**GM为LGS产品;72为SDRAM;第1,2个*代表容量,16为16Mbit,66为64Mbit;第3,4个*代表数据位宽,一般为4,8,16等,不补0;第5个*代表bank,2代表2个,4代表4个;第6个*代表是第几个版本的内核;第7个*如果是L就代表低功耗,空白为普通;“T”为TSOP II封装;“I”为BLP封装;最后的**代表速度:7:7ns(143MHz)7:7.5ns(133MHz)8:8ns(125MHz)7K:10ns(PC100 CL23)7J:10ns(PC100 CL3)10K:10ns(100MHz)12:12ns(83MHz)15:15ns(66MHz)2.Hyundai:现代的SDRAM芯片的标识HY5*************-**HY为现代产品,5*表示芯片类型,57为SDRAM,5D为DDR SDRAM;第2个*代表工作电压,空白为5伏,“V”为3;3伏,“U”为2;5伏;第3-5个*代表容量和刷新速度:16:16Mbit,4k Ref64:64Mbit,8k Ref65:64Mbit,4k Ref128:128Mbit,8k Ref129:128Mbit,4k Ref256:256Mbit,16k Ref257:256Mbit,8K Ref第6,7个*代表数据位宽,40,80,16,32分别代表4位,8位,16位和32位;第8个*代表bank,1,2,3分别为2,4,8个bank;第9个*一般为0,代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口;第10个*可为空白或A,B,C,D等,代表内核,越往后越新;第11个*如为L则为低功耗,空白为普通;第12,13个*代表封装形式;最后几位为速度:7:7ns(143MHz)8:8ns(133MHz)10P:10ns(PC100 CL2/3)10S:10ns(Pc100 CL3)10:10ns(100MHz)12:12ns(83MHz)15:15ns(66MHz)3.Micron: Micron的SDRAM芯片的标识;MT48****M**A*TG-***MT为Micron的产品;48代表SDRAM,其后的**如为LC则为普通SDRAM;

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